Mặc dù chưa chính thức ra mắt, nhưng Iphone 6S vẫn đang nóng lên từng ngày. Mới đây, trên trang test hiệu năng smartphone nổi tiếng Geekbench cho thấy chip 3 nhân của Iphone 6s "ăn đứt" chip 8 nhân của điện thoại Samsung Galaxy S6 Edge càng khiến cho các fan của Táo khuyết thêm hào hứng.

Iphone 6S chạychip A9 3 nhân mạnh mẽ hơn Samsung Galaxy S6 Edge

Iphone 6S được đưa ra thử nghiệm được trang bị RAM 2GB gấp đôi so với các thể hệ Iphone hiện nay và hoạt động dựa trên nền tảng chip A9 3 nhân, xung nhịp 1,5 GHz. Được đem ra so sánh với Iphone 6S là 2 smartphone Android HTC One M9 chip xử lý 64-bit Snapdragon 810. 8 nhân  và Samsung Galaxy S6 Edge sử dụng chip Exynos 7420 kiến trúc 64 bit 8 nhân.

Kết quả điểm benchmark trong bài test đơn nhân

 Về số nhân, Iphone 6S tỏ ra thua kém so với  Galaxy S6 edge và HTC One M9 nhưng kết quả test hiệu năng của Iphone 6S lại vô cùng ấn tượng. iPhone 6s vượt trội hơn hẳn ở cả 2 chế độ nhân single-core và đa nhân multi-core. Ở chế độ single-core, Iphone 6S đạt 1.811 điểm benchmark trong khi đó Galaxy S6 edge đạt 1.492 điểm và HTC One M9 đạt 1.232 điểm. Trong bài test đa lõi, số điểm benchmark của iphone 6s là 4.577 điểm, cao hơn 30% so với HTC One M9.

Kết quả điểm benchmark trong bài test đa nhân

Cuối cùng thì Iphone cũng đã có bước đột phá trong việc nâng cấp Iphone lên RAM 2G. Điện thoại mới của Apple hứa hẹn sẽ mang tới cho người dùng nhiều trải nghiệm thú vị và ấn tượng hơn hẳn so với những thế hệ Iphone trước đây.